陶瓷基板材料以其優(yōu)良的導熱性和氣密性，廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。本文簡(jiǎn)要介紹了目前陶瓷基板的現狀與以后的發(fā)展。
01塑料和陶瓷材料的比較
塑料尤其是環(huán)氧樹(shù)脂由于比較好的經(jīng)濟性，至目前為止依然占據整個(gè)電子市場(chǎng)的統治地位，但是許多特殊領(lǐng)域比如高溫、線(xiàn)膨脹系數不匹配、氣密性、穩定性、機械性能等方面顯然不適合，即使在環(huán)氧樹(shù)脂中添加大量的有機溴化物也無(wú)濟于事。
相對于塑料材料，陶瓷材料也在電子工業(yè)扮演者重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學(xué)穩定性佳、熱穩定性和熔點(diǎn)高等優(yōu)點(diǎn)。在電子線(xiàn)路的設計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來(lái)制造各種電子元件。
02各種陶瓷材料的比較
1、Al2O3
到目前為止，氧化鋁基板是電子工業(yè)中最常用的基板材料，因為在機械、熱、電性能上相對于大多數其他氧化物陶瓷，強度及化學(xué)穩定性高，且原料來(lái)源豐富，適用于各種各樣的技術(shù)制造以及不同的形狀。
2、BeO
具有比金屬鋁還高的熱導率，應用于需要高熱導的場(chǎng)合，但溫度超過(guò)300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的發(fā)展。
3、AlN
AlN有兩個(gè)非常重要的性能值得注意：一個(gè)是高的熱導率，一個(gè)是與Si相匹配的膨脹系數。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會(huì )對熱導率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進(jìn)行嚴格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。目前大規模的AlN生產(chǎn)技術(shù)國內還是不成熟，相對于Al2O3，AlN價(jià)格相對偏高許多，這個(gè)也是制約其發(fā)展的瓶頸。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在目前微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導地位而被大量運用。
03陶瓷基板的制造
制造高純度的陶瓷基板是很困難的，大部分陶瓷熔點(diǎn)和硬度都很高，這一點(diǎn)限制了陶瓷機械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常摻雜熔點(diǎn)較低的玻璃用于助熔或者粘接，使最終產(chǎn)品易于機械加工。Al2O3、BeO、AlN基板制備過(guò)程很相似，將基體材料研磨成粉直徑在幾微米左右，與不同的玻璃助熔劑和粘接劑（包括粉體的MgO、CaO）混合，此外還向混合物中加入一些有機粘接劑和不同的增塑劑再球磨防止團聚使成分均勻，成型生瓷片，最后高溫燒結。目前陶瓷成型主要有如下幾種方法：
●輥軸軋制 將漿料噴涂到一個(gè)平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰狀的薄片，再將薄片送入一對大的平行輥軸中軋碾得到厚度均勻的生瓷片。
●流延 漿料通過(guò)鋒利的刀刃涂復在一個(gè)移動(dòng)的帶上形成薄片。與其他工藝相比這是一種低壓的工藝。
●粉末壓制 粉末在硬模具腔內并施加很大的壓力（約138MPa）下燒結，盡管壓力不均勻可能產(chǎn)生過(guò)度翹曲但這一工藝生產(chǎn)的燒結件非常致密，容差較小。
●等靜壓粉末壓制 這種工藝使用使用周?chē)鸀樗蛘邽楦视偷哪＜笆褂酶哌_69MPa的壓力這種壓力更為均勻所制成的部件翹曲更小。
●擠壓 漿料通過(guò)模具擠出這種工藝使用的漿料黏度較低，難以獲得較小容差，但是這種工藝非常經(jīng)濟，并且可以得到比其他方法更薄的部件。
04基板種類(lèi)及其特性比較
現階段較普遍的陶瓷散熱基板種類(lèi)共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四種，其中HTCC屬于較早期發(fā)展的技術(shù)，但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂貴，這些因素促使LTCC的發(fā)展，LTCC雖然將共燒溫度降至約850℃，但缺點(diǎn)是尺寸精確度、產(chǎn)品強度等不易控制。
而DBC與DPC則為國內近幾年才開(kāi)發(fā)成熟，且能量產(chǎn)化的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，DBC是利用高溫加熱將Al2O3與Cu板結合，其技術(shù)瓶頸在于不易解決Al2O3與Cu板間微氣孔產(chǎn)生之問(wèn)題，這使得該產(chǎn)品的量產(chǎn)能量與良率受到較大的挑戰，而DPC技術(shù)則是利用直接鍍銅技術(shù)，將Cu沉積于Al2O3基板之上，其工藝結合材料與薄膜工藝技術(shù)，其產(chǎn)品為近年最普遍使用的陶瓷散熱基板。然而其材料控制與工藝技術(shù)整合能力要求較高，這使得跨入DPC產(chǎn)業(yè)并能穩定生產(chǎn)的技術(shù)門(mén)檻相對較高。
1、LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic)
LTCC 又稱(chēng)為低溫共燒多層陶瓷基板，此技術(shù)須先將無(wú)機的氧化鋁粉與約30%~50%的玻璃材料加上有機黏結劑，使其混合均勻成為泥狀的漿料，接著(zhù)利用刮刀把漿料刮成片狀，再經(jīng)由一道干燥過(guò)程將片狀漿料形成一片片薄薄的生胚，然后依各層的設計鉆導通孔，作為各層訊號的傳遞，LTCC內部線(xiàn)路則運用網(wǎng)版印刷技術(shù)，分別于生胚上做填孔及印制線(xiàn)路，內外電極則可分別使用銀、銅、金等金屬，最后將各層做疊層動(dòng)作，放置于850~900℃的燒結爐中燒結成型，即可完成。詳細制造過(guò)程LTCC生產(chǎn)流程圖1。
圖1 LTCC生產(chǎn)流程圖
2、HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)
HTCC又稱(chēng)為高溫共燒多層陶瓷，生產(chǎn)制造過(guò)程與LTCC極為相似，主要的差異點(diǎn)在于HTCC的陶瓷粉末并無(wú)加入玻璃材質(zhì)，因此，HTCC的必須再高溫1300~1600℃環(huán)境下干燥硬化成生胚，接著(zhù)同樣鉆上導通孔，以網(wǎng)版印刷技術(shù)填孔與印制線(xiàn)路，因其共燒溫度較高，使得金屬導體材料的選擇受限，其主要的材料為熔點(diǎn)較高但導電性卻較差的鎢、鉬、錳…等金屬，最后再疊層燒結成型。
3、DBC (Direct Bonded Copper)
直接敷銅技術(shù)是利用銅的含氧共晶液直接將銅敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接過(guò)程前或過(guò)程中在銅與陶瓷之間引入適量的氧元素，在1065℃~1083℃范圍內，銅與氧形成Cu-O共晶液， DBC技術(shù)利用該共晶液一方面與陶瓷基板發(fā)生化學(xué)反應生成 CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸潤銅箔實(shí)現陶瓷基板與銅板的結合。陶瓷基板直接敷銅板的制造流程圖如下圖2。
(a) Al2O3陶瓷基板敷銅板工藝
(b) AlN陶瓷基板敷銅板工藝
圖2 直接敷銅陶瓷基板工藝示意圖
直接敷銅陶瓷基板由于同時(shí)具備銅的優(yōu)良導電、導熱性能和陶瓷的機械強度高、低介電損耗的優(yōu)點(diǎn)，所以得到廣泛的應用。在過(guò)去的幾十年里，敷銅基板在功率電子封裝方面做出了很大的貢獻，這主要歸因于直接敷銅基板具有如下性能特點(diǎn)：
● 熱性能好；
● 電容性能；
● 高的絕緣性能；
● Si相匹配的熱膨脹系數；
● 電性能優(yōu)越，載流能力強。
直接敷銅陶瓷基板最初的研究就是為了解決大電流和散熱而開(kāi)發(fā)出來(lái)的，后來(lái)又應用到AlN陶瓷的金屬化。除上述特點(diǎn)外還具有如下特點(diǎn)使其在大功率器件中得到廣泛應用：
● 機械應力強，形狀穩定；高強度、高導熱率、高絕緣性；結合力強，防腐蝕；
● 極好的熱循環(huán)性能，循環(huán)次數達5萬(wàn)次，可靠性高；
● 與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結構；無(wú)污染、無(wú)公害；
● 使用溫度寬-55℃～850℃；熱膨脹系數接近硅，簡(jiǎn)化功率模塊的生產(chǎn)工藝。
由于直接敷銅陶瓷基板的特性，就使其具有PCB基板不可替代特點(diǎn)。DBC的熱膨脹系數接近硅芯片，可節省過(guò)渡層Mo片，省工、節材、降低成本，由于直接敷銅陶瓷基板沒(méi)有添加任何釬焊成分，這樣就減少焊層，降低熱阻，減少孔洞，提高成品率，并且在相同載流量下 0.3mm厚的銅箔線(xiàn)寬僅為普通印刷電路板的10%；其優(yōu)良的導熱性，使芯片的封裝非常緊湊，從而使功率密度大大提高，改善系統和裝置的可靠性。
為了提高基板的導熱性能，一般是減少基板的厚度，超薄型(0.25mm)DBC板可替代BeO，直接敷接銅的厚度可以達到0.65mm，這樣直接敷銅陶瓷基板就能承載較大的電流且溫度升高不明顯，100A電流連續通過(guò)1mm寬0.3mm厚銅體，溫升約17℃；100A電流連續通過(guò)2mm寬0.3mm厚銅體，溫升僅5℃左右。與釬焊和Mo-Mn法相比，DBC具有很低的熱阻特性，以10×10mmDBC板的熱阻為例：
0.63mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.31K/W，0.38mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.19K/W，0.25mm厚度陶瓷基片DBC的熱阻為0.14K/W。
氧化鋁陶瓷的電阻最高，其絕緣耐壓也高，這樣就保障人身安全和設備防護能力；除此之外DBC基板可以實(shí)現新的封裝和組裝方法，使產(chǎn)品高度集成，體積縮小。
（1）直接敷銅陶瓷基板發(fā)展趨勢
在大功率、高密度封裝中，電子元件及芯片等在運行過(guò)程中產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)陶瓷基板散發(fā)到環(huán)境中，所以陶瓷基板在散熱過(guò)程中擔當了重要的角色。Al2O3陶瓷導熱率相對較低，在大功率、高密度封裝器件運行時(shí)須強制散熱才可滿(mǎn)足要求。BeO陶瓷導熱性能最好，但因環(huán)保問(wèn)題，基本上被淘汰。SiC陶瓷金屬化后鍵合不穩定，作為絕緣基板用時(shí)，會(huì )引起熱導率和介電常數的改變。AlN陶瓷具有高的導熱性能，適用于大功率半導體基片，在散熱過(guò)程中自然冷卻即可達到目的，同時(shí)還具有很好的機械強度、優(yōu)良的電氣性能。雖然目前國內制造技術(shù)還需改進(jìn)，價(jià)格也比較昂貴，但其年產(chǎn)增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。所以采用AlN陶瓷做絕緣導熱基板已是大勢所趨，只不過(guò)是存在時(shí)間與性?xún)r(jià)比的問(wèn)題。
（2）直接敷鋁(DAB)陶瓷基板與直接敷銅陶瓷基板(DBC)性能比較
直接敷鋁基板作為一種絕緣載體應用于電子電路而取得長(cháng)足進(jìn)展，該技術(shù)借鑑了直接敷銅陶瓷基板技術(shù)。這類(lèi)新型的直接敷Al基板在理論和實(shí)驗上表現出好的特性。盡管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。對于直接敷Cu基板，由于金屬銅的膨脹系數室溫時(shí)為17.0 ′10-6/°C，96氧化鋁陶瓷基板的熱膨脹系數室溫時(shí)為6.0′10-6/°C，銅和氧化鋁敷接的溫度較高（大于1000℃），界面會(huì )形成比較硬的產(chǎn)物CuAlO2，所以敷接銅的氧化鋁基板的內應力較大，抗熱震動(dòng)性能相對較差，在使用中常常因疲勞而損壞。
鋁和銅相比，具有較低的熔點(diǎn)，低廉的價(jià)格和良好的塑性，純鋁的熔點(diǎn)只有660℃，純鋁的膨脹系數在室溫時(shí)為23.0′ 10-6/℃，金屬鋁和氧化鋁陶瓷基板的敷接是物理濕潤，在界面上沒(méi)有化學(xué)反應，而且純鋁所具有的優(yōu)良的塑性能夠有效緩解界面因熱膨脹系數不同引起的熱應力，研究也證實(shí)Al/Al2O3陶瓷基板具有非常優(yōu)良的抗熱震性能。這是直接敷Cu基板無(wú)法比擬的，同時(shí)金屬鋁和氧化鋁陶瓷之間的抗剝離強度也較大。
直接敷鋁基板作為基板特別適合于功率電子電路直接敷鋁基板性能不同于直接敷銅基板的性能，前者在高溫循環(huán)下有更好的穩定性能。直接敷鋁基板的芯片也表現出更好的穩定性，勝過(guò)直接敷銅基板。直接敷鋁基板以它的高的抗熱震性、低的重量，有望在將來(lái)開(kāi)發(fā)出更好的性能，以滿(mǎn)足更高的需求。
（3）敷鋁陶瓷基板的發(fā)展趨勢
敷鋁陶瓷基板(DAB)以其獨特的性能應用于絕緣載體，特別是功率電子電路。這種新型材料在很多方面都有和直接敷銅基板(DBC)相似的地方，而自身又具有顯著(zhù)的抗熱震性能和熱穩定性能，對提高在極端溫度下工作器件的穩定性十分明顯。由Al-Al2O3基板、Al-AlN基板做成的電力器件模塊已成功應用在日本汽車(chē)工業(yè)上。DAB基板在對高可靠性有特殊要求的器件上具有巨大的潛力，這就使其非常適合優(yōu)化功率電子系統、自動(dòng)化、航空航天等。
（4）DPC (Direct Plate Copper)
DPC亦稱(chēng)為直接鍍銅基板， DPC基板工藝為例：首先將陶瓷基板做前處理清潔，利用薄膜專(zhuān)業(yè)制造技術(shù)－真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍結合于銅金屬復合層，接著(zhù)以黃光微影之光阻被復曝光、顯影、蝕刻、去膜工藝完成線(xiàn)路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線(xiàn)路的厚度，待光阻移除后即完成金屬化線(xiàn)路制作，詳細DPC生產(chǎn)流程圖如下圖。
圖3 DCP生產(chǎn)流程圖
05 陶瓷基板特性
1熱傳導率
熱導率代表了基板材料本身直接傳導熱能的一種能力，數值愈高代表其散熱能力愈好。在LED領(lǐng)域散熱基板最主要的作用就是在于，如何有效的將熱能從LED芯片傳導到系統散熱，以降低LED 芯片的溫度，增加發(fā)光效率與延長(cháng)LED壽命，因此，散熱基板熱傳導效果的優(yōu)劣就成為業(yè)界在選用散熱基板時(shí)，重要的評估項目之一。
檢視表一，由四種陶瓷散熱基板的比較可明看出，雖然Al2O3材料之熱傳導率約在20~24之間，LTCC為降低其燒結溫度而添加了30%~50%的玻璃材料，使其熱傳導率降至2~3W/mK左右；而HTCC因其普遍共燒溫度略低于純Al2O3基板之燒結溫度，而使其因材料密度較低使得熱傳導系數低Al2O3基板約16~17W/mK之間。一般來(lái)說(shuō)，LTCC與HTCC散熱效果并不如DBC與DPC散熱基板里想。
2操作環(huán)境溫度
操作環(huán)境溫度，主要是指產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中，使用到最高工藝溫度，而以一生產(chǎn)工藝而言，所使用的溫度愈高，相對的制造成本也愈高，且良率不易掌控。
HTCC工藝本身即因為陶瓷粉末材料成份的不同，其工藝溫度約在1300~1600℃之間，而LTCC/DBC的工藝溫度亦約在850~1000℃之間。此外，HTCC與LTCC在工藝后對必須疊層后再燒結成型，使得各層會(huì )有收縮比例問(wèn)題，為解決此問(wèn)題相關(guān)業(yè)者也在努力尋求解決方案中。
另一方面，DBC對工藝溫度精準度要求十分嚴苛，必須于溫度極度穩定的1065~1085℃溫度范圍下，才能使銅層熔煉為共晶熔體，與陶瓷基板緊密結合，若生產(chǎn)工藝的溫度不夠穩定，勢必會(huì )造成良率偏低的現象。而在工藝溫度與裕度的考量，DPC的工藝溫度僅需250~350℃左右的溫度即可完成散熱基板的制作，完全避免了高溫對于材料所造成的破壞或尺寸變異的現象，也排除了制造成本費用高的問(wèn)題。
3工藝能力
工藝能力，主要是表示各種散熱基板的金屬線(xiàn)路是以何種工藝技術(shù)完成，由于線(xiàn)路制造/成型的方法直接影響了線(xiàn)路精度、表面粗糙鍍、對位精準度…等特性，因此在高功率小尺寸的精細線(xiàn)路需求下，工藝分辨率便成了必須要考慮的重要項目之一。
LTCC與HTCC均是采用厚膜印刷技術(shù)完成線(xiàn)路制作，厚膜印刷本身即受限于網(wǎng)版張力問(wèn)題，一般而言，其線(xiàn)路表面較為粗糙，且容易造成有對位不精準與累進(jìn)公差過(guò)大等現象。此外，多層陶瓷疊壓燒結工藝，還有收縮比例的問(wèn)題需要考量，這使得其工藝分辨率較為受限。
而DBC雖以微影工藝備制金屬線(xiàn)路，但因其工藝能力限制，金屬銅厚的下限約在150~300um之間，這使得其金屬線(xiàn)路的分辨率上限亦僅為150~300um之間(以深寬比1:1為標準)。而DPC則是采用的薄膜工藝制作，利用了真空鍍膜、黃光微影工藝制作線(xiàn)路，使基板上的線(xiàn)路能夠更加精確，表面平整度高，再利用電鍍/電化學(xué)鍍沉積方式增加線(xiàn)路的厚度，DPC金屬線(xiàn)路厚度可依產(chǎn)品實(shí)際需求(金屬厚度與線(xiàn)路分辨率)而設計。一般而言，DPC金屬線(xiàn)路的分辨率在金屬線(xiàn)路深寬比為1:1的原則下約在10~50um之間。因此，DPC杜絕了LTCC/HTCC的燒結收縮比例及厚膜工藝的網(wǎng)版張網(wǎng)問(wèn)題。
4瓷散熱板之應用
陶瓷散熱基板會(huì )因應需求及應用上的不同，外型亦有所差別。另一方面，各種陶瓷基板也可依產(chǎn)品制造方法的不同，作出基本的區分。LTCC散熱基板在LED產(chǎn)品的應用上，大多以大尺寸高功率以及小尺寸低功率產(chǎn)品為主，基本上外觀(guān)大多呈現凹杯狀，且依客戶(hù)端的需求可制作出有導線(xiàn)架 & 沒(méi)有導線(xiàn)架兩種散熱基板，凹杯形狀主要是針對封裝工藝采用較簡(jiǎn)易的點(diǎn)膠方式封裝成型所設計，并利用凹杯邊緣作為光線(xiàn)反射的路徑，但LTCC本身即受限于工藝因素，使得產(chǎn)品難以備制成小尺寸，再者，采用了厚膜制作線(xiàn)路，使得線(xiàn)路精準度不足以符合高功率小尺寸的LED產(chǎn)品。而與LTCC工藝與外觀(guān)相似的HTCC，在LED散熱基板這一塊，尚未被普遍的使用，主要是因為HTCC采用1300~1600℃高溫干燥硬化，使生產(chǎn)成本的增加，相對的HTCC基板費用也高，因此對極力朝低成本趨向邁進(jìn)LED產(chǎn)業(yè)而言，面臨了較嚴苛的考驗HTCC。
另一方面， DBC與DPC則與LTCC/HTCC不僅有外觀(guān)上的差異，連LED產(chǎn)品封裝方式亦有所不同，DBC/DPC均是屬于平面式的散熱基板，而平面式散熱基板可依客制化備制金屬線(xiàn)路加工，再根據客戶(hù)需求切割成小尺寸產(chǎn)品，輔以共晶/復晶工藝，結合已非常純熟的螢光粉涂布技術(shù)及高階封裝工藝技術(shù)鑄膜成型，可大幅的提升LED的發(fā)光效率。
然而，DBC產(chǎn)品因受工藝能力限制，使得線(xiàn)路分辨率上限僅為150~300um，若要特別制作細線(xiàn)路產(chǎn)品，必須采用研磨方式加工，以降低銅層厚度，但卻造成表面平整度不易控制與增加額外成本等問(wèn)題，使得DBC產(chǎn)品不易于共晶/復晶工藝高線(xiàn)路精準度與高平整度的要求之應用。DPC利用薄膜微影工藝備制金屬線(xiàn)路加工，具備了線(xiàn)路高精準度與高表面平整度的的特性，非常適用于復晶/共晶接合方式的工藝，能夠大幅減少LED產(chǎn)品的導線(xiàn)截面積，進(jìn)而提升散熱的效率。
06結 論
經(jīng)由上述各種陶瓷基板之生產(chǎn)流程、特性比較、以及應用范圍說(shuō)明后，可明確的比較出個(gè)別的差異性。其中，LTCC散熱基板在LED產(chǎn)業(yè)中已經(jīng)被廣泛的使用，但LTCC為了降低燒結溫度，于材料中加入了玻璃材料，使整體的熱傳導率降低至2~3W/mK之間，比其他陶瓷基板都還要低。
再者，LTCC使用網(wǎng)印方式印制線(xiàn)路，使線(xiàn)路本身具有線(xiàn)徑寬度不夠精細、以及網(wǎng)版張網(wǎng)問(wèn)題，導致線(xiàn)路精準度不足、表面平整度不佳等現象，加上多層疊壓燒結又有基板收縮比例的問(wèn)題要考量，并不符合高功率小尺寸的需求，因此在LED產(chǎn)業(yè)的應用目前多以高功率大尺寸，或是低功率產(chǎn)品為主。而與LTCC工藝相似的HTCC以1300~1600℃的高溫干燥硬化，使生產(chǎn)成本偏高，居于成本考量鮮少目前鮮少使用于LED產(chǎn)業(yè)，且HTCC與LTCC有相同的問(wèn)題，亦不適用于高功率小尺寸的LED產(chǎn)品。
另一方面，為了使DBC的銅層與陶瓷基板附著(zhù)性佳，必須因采用1065~1085℃高溫熔煉，制造費用較高，且有基板與Cu板間有微氣孔問(wèn)題不易解決，使得DBC產(chǎn)品產(chǎn)能與良率受到極大的考驗；再者，若要制作細線(xiàn)路必須采用特殊處理方式將銅層厚度變薄，卻造成表面平整度不佳的問(wèn)題，若將產(chǎn)品使用于共晶/復晶工藝的LED產(chǎn)品相對較為嚴苛。反倒是DPC產(chǎn)品，
本身采用薄膜工藝的真空濺鍍方式鍍上薄銅，再以黃光微影工藝完成線(xiàn)路，因此線(xiàn)徑寬度10~50um，甚至可以更細，且表面平整度高(<0.3um)、線(xiàn)路對位精準度誤差值僅+/-1%，完全避免了收縮比例、網(wǎng)版張網(wǎng)、表面平整度、高制造費用…等問(wèn)題。雖LTCC、HTCC、DBC、與DPC等陶瓷基板都已廣泛使用與研究，然而，在高功率LED陶瓷散熱領(lǐng)域而言，DPC在目前發(fā)展趨勢看來(lái)，可以說(shuō)是最適合高功率LED發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。
文章來(lái)源：電子絕緣材料圈整理